18 п швеллер размеры: Слишком много запросов

Полупроводниковые и системные решения — Infineon Technologies

Технология двунаправленной зарядки электромобилей

Вебинар в прямом эфире 27 июня: узнайте, как двунаправленная зарядка электромобилей является частью ответа на сегодняшние глобальные проблемы декарбонизации и растущего спроса на энергию

Сохраните свое место

Virtual Sensor Experience 2023

26–30 июня. Зарегистрируйтесь сейчас и испытайте наше портфолио датчиков в цифровом виде!

Узнать больше

Новинка: приборная панель TRAVEO™ T2G

Автомобильные микроконтроллеры TRAVEO™ T2G™ обеспечивают более мощную графическую архитектуру для виртуальных кластерных дисплеев

Узнать больше

Зеленая энергия для дома и сада

Полупроводники являются частью многих электрических устройств и систем в каждом доме. Они имеют решающее значение для решения энергетических проблем и делают нашу жизнь более экологичной

Узнать больше

Широкозонные устройства в системах электроприводов

Вебинар 29 июня: Более высокие частоты переключения для систем электроприводов с SiC и GaN. Узнайте о возможностях и проблемах инверторов WBG

Зарегистрироваться

Анонс Edge Protect

Новейшее встроенное решение безопасности Infineon предлагает предварительно настроенные категории безопасности продуктов, соответствующие нормативным стандартам и уровням сертификации

Узнать больше

Новости

23 мая 2023 г. | Деловая и финансовая пресса

Член правления Infineon Констанце Хуфенбехер не будет продлевать свой контракт после 2024 года после успешного создания отдела цифровой трансформации

16 мая 2023 г. | Деловая и финансовая пресса

Infineon приобретает лидера Tiny Machine Learning Imagimob, чтобы усилить свое предложение в области встроенных решений ИИ

Новости рынка

21 июня 2023 г. | Новости рынка

Встроенное решение для обеспечения безопасности Edge Protect соответствует системным разработчикам и нормативным требованиям для потребительских и промышленных приложений IoT

Посетите Infineon в Twitter

Toshiba P Channel MOSFET Transistor, 20 В, 18 A, поверхностный монтаж, технические характеристики и характеристики

Toshiba P Channel MOSFET транзистор, 20 В, 18 A, поверхностный монтаж, технические характеристики и характеристики

‘;

Цена по запросу

Спецификация 1 Спецификация 2

90 085 Канал P

Номер детали TPCC8103(TE12L,Q)
Максимальное сопротивление источника стока 4 мОм, 25 мОм
Максимальная рабочая температура +150°C
Торговая марка Toshiba
Тип канала
Максимальное напряжение источника затвора 20 В

Посмотреть полные технические характеристики

Получить лучшую цену

Лучшие поставщики ashtra7/16, цокольный этаж, здание Камат, Шамрао Виттал Лейн, Лемингтон Road, Grand Road (East), Мумбаи — 400007, р-н. Mumbai, Maharashtra

Позвоните +91-8048979375

₹ 25/ Piece

Контактный поставщик

Промышленные компоненты NAAZ

Mumbai, Maharashtrash3, 394, 2-й этаж, Lamington Chambers, Dr. Dadasaheb Bhadkamkar Marg., Naaz Cinema, Girgaon, Mumbai — 400004, Dist. Мумбаи, Махараштра

Звоните по телефону +91-7942802246

₹ 90/шт. , Рохини, Нью-Дели — 110085

Звоните +91-7942554910

₹ 7,000/ Box

Связаться с поставщиком

Mobitex Network

Udaipur, Rajasthan8-A, Sukhadiya Nagar, Nathdwara, Rajsamand, Rajasthan, 31 3301 University Road, Удайпур — 313301, р-н. Удайпур, Раджастхан

Позвоните по телефону +91-8048607230

26 рупий за штуку

Свяжитесь с поставщиком

Просмотреть других поставщиков 6 Технические характеристики

Toshiba P-канальный полевой МОП-транзистор, 20 В, 18 А, поверхностный монтаж , TPC8117(TE12L,Q)

Номер детали:

TPC8117(TE12L,Q)

Максимальное сопротивление источника стока:

4 мОм

Максимальная рабочая температура:

90 006 +150°С

Лучшая цена.

Максимальное сопротивление источника утечки:

25 мОм

Максимальная рабочая температура:

+150°C

Лучшая цена

Больше поставщиков Toshiba P-канальный MOSFET-транзистор, 20 В, 18 А, поверхностный монтаж

Suraj Electronics 90 005

Чандни Чоук, Нью-Йорк Дели, Дели 1687/306, 3-й этаж, Бхагират Плейс, Чандни Чоук, Нью-Дели — 110006

Позвоните по номеру +91-8048951884

120 ₹ за штуку

Свяжитесь с поставщиком

h3r Electronics

Нью-Дели, Дели 64/3, верхний цокольный этаж, Ашок Нагар, Нью-Дели — 110018

Звоните +91 -8045907018

₹ 140/шт. 400067, р-н. Мумбаи, Махараштра

Звоните +91-7942835599

Запросить цену

Свяжитесь с поставщиком

Planetron Electronics Private Limited

Grant Road East, Mumbai, Maharashtra B10, 2nd Floor, Janardhan Building Proctor Road, Grant Road East, Mumbai — 400007, Dis т. Мумбаи, Махараштра

Звоните по телефону +91-7942545646

85 ₹/шт. 1-й этаж, Рани Баг, Чандни Чоук, Дели — 110034

Звоните по телефону +91-8047531570

160 ₹ за пару

Свяжитесь с поставщиком

S S Impex

Lamington Road, Mumbai, Maharashtra 1st Floor 9, Alankar Building , улица Баларам, Бадар Бауг, Ламингтон-роуд, Мумбаи — 400004, Расст. Мумбаи, Махараштра

Звоните по телефону +91-7942563357

₹ 13/шт.

Связаться с поставщиком

Подробная информация о продукте

Номер детали ТПК8117(ТЭ12Л,К), ТПКК8103(ТЭ12Л,К)
Максимальное сопротивление источника стока 4 мОм, 25 мОм
Максимальная рабочая температура +150°С
Торговая марка Тошиба
Тип канала Канал P
Максимальное напряжение источника затвора 20 В
Максимальный непрерывный ток стока 18 А
Тип монтажа Поверхностный монтаж

Дополнительные сведения

Количество контактов 8
Конфигурация транзистора Одноместный
Категория Мощный МОП-транзистор
Режим канала Улучшение
Размеры 3,1 х 3,1 х 0,85 мм
Максимальное напряжение источника стока 30 В
Максимальное пороговое напряжение затвора 2 В
Максимальная рассеиваемая мощность 1,9 Вт, 27 Вт
Минимальная рабочая температура -55°С
Тип упаковки ЦОН
Количество элементов на чип 1
Материал транзистора Си
Типичная плата затвора при Vgs 130 нКл при 10 В, 38 нКл при 10 В
Типовая входная емкость Вдс 4600 пФ при 10 В, 1600 пФ при -10 В
Типичное время задержки выключения 175 нс
Типичное время задержки включения 16 нс

Фото продукта

Вас также может заинтересовать

Модуль питания MOSFET

Транзистор MOSFET

Расскажите нам, что вы 9 0455 нужно

Получить продавцу
реквизиты

Заключить сделку

Оплатить IndiaMART

Сообщите нам, что вам нужно, и мы поможем вам рассчитать стоимость

Я согласен с условиями и политикой конфиденциальности

В вашем браузере отключен JavaScript.