18 п швеллер размеры: Слишком много запросов
Содержание
Полупроводниковые и системные решения — Infineon Technologies
Технология двунаправленной зарядки электромобилей
Вебинар в прямом эфире 27 июня: узнайте, как двунаправленная зарядка электромобилей является частью ответа на сегодняшние глобальные проблемы декарбонизации и растущего спроса на энергию
Сохраните свое место
Virtual Sensor Experience 2023
26–30 июня. Зарегистрируйтесь сейчас и испытайте наше портфолио датчиков в цифровом виде!
Узнать больше
Новинка: приборная панель TRAVEO™ T2G
Автомобильные микроконтроллеры TRAVEO™ T2G™ обеспечивают более мощную графическую архитектуру для виртуальных кластерных дисплеев
Узнать больше
Зеленая энергия для дома и сада
Полупроводники являются частью многих электрических устройств и систем в каждом доме. Они имеют решающее значение для решения энергетических проблем и делают нашу жизнь более экологичной
Узнать больше
Широкозонные устройства в системах электроприводов
Вебинар 29 июня: Более высокие частоты переключения для систем электроприводов с SiC и GaN. Узнайте о возможностях и проблемах инверторов WBG
Зарегистрироваться
Анонс Edge Protect
Новейшее встроенное решение безопасности Infineon предлагает предварительно настроенные категории безопасности продуктов, соответствующие нормативным стандартам и уровням сертификации
Узнать больше
Новости
23 мая 2023 г. | Деловая и финансовая пресса
Член правления Infineon Констанце Хуфенбехер не будет продлевать свой контракт после 2024 года после успешного создания отдела цифровой трансформации
16 мая 2023 г. | Деловая и финансовая пресса
Infineon приобретает лидера Tiny Machine Learning Imagimob, чтобы усилить свое предложение в области встроенных решений ИИ
Новости рынка
21 июня 2023 г. | Новости рынка
Встроенное решение для обеспечения безопасности Edge Protect соответствует системным разработчикам и нормативным требованиям для потребительских и промышленных приложений IoT
Посетите Infineon в Twitter
Toshiba P Channel MOSFET Transistor, 20 В, 18 A, поверхностный монтаж, технические характеристики и характеристики
Toshiba P Channel MOSFET транзистор, 20 В, 18 A, поверхностный монтаж, технические характеристики и характеристики
‘;
Цена по запросу
Спецификация 1 Спецификация 2
Номер детали | TPCC8103(TE12L,Q) |
Максимальное сопротивление источника стока | 4 мОм, 25 мОм |
Максимальная рабочая температура | +150°C |
Торговая марка | Toshiba |
Тип канала | |
Максимальное напряжение источника затвора | 20 В |
Посмотреть полные технические характеристики
Получить лучшую цену
Лучшие поставщики ashtra7/16, цокольный этаж, здание Камат, Шамрао Виттал Лейн, Лемингтон Road, Grand Road (East), Мумбаи — 400007, р-н. Mumbai, Maharashtra
Позвоните +91-8048979375
₹ 25/ Piece
Контактный поставщик
Промышленные компоненты NAAZ
Mumbai, Maharashtrash3, 394, 2-й этаж, Lamington Chambers, Dr. Dadasaheb Bhadkamkar Marg., Naaz Cinema, Girgaon, Mumbai — 400004, Dist. Мумбаи, Махараштра
Звоните по телефону +91-7942802246
₹ 90/шт. , Рохини, Нью-Дели — 110085
Звоните +91-7942554910
₹ 7,000/ Box
Связаться с поставщиком
Mobitex Network
Udaipur, Rajasthan8-A, Sukhadiya Nagar, Nathdwara, Rajsamand, Rajasthan, 31 3301 University Road, Удайпур — 313301, р-н. Удайпур, Раджастхан
Позвоните по телефону +91-8048607230
26 рупий за штуку
Свяжитесь с поставщиком
Просмотреть других поставщиков 6 Технические характеристики
Toshiba P-канальный полевой МОП-транзистор, 20 В, 18 А, поверхностный монтаж , TPC8117(TE12L,Q)
Номер детали:
TPC8117(TE12L,Q)
Максимальное сопротивление источника стока:
4 мОм
Максимальная рабочая температура:
90 006 +150°С
Лучшая цена.
Максимальное сопротивление источника утечки:
25 мОм
Максимальная рабочая температура:
+150°C
Лучшая цена
Больше поставщиков Toshiba P-канальный MOSFET-транзистор, 20 В, 18 А, поверхностный монтаж
Suraj Electronics 90 005
Чандни Чоук, Нью-Йорк Дели, Дели 1687/306, 3-й этаж, Бхагират Плейс, Чандни Чоук, Нью-Дели — 110006
Позвоните по номеру +91-8048951884
120 ₹ за штуку
Свяжитесь с поставщиком
h3r Electronics
Нью-Дели, Дели 64/3, верхний цокольный этаж, Ашок Нагар, Нью-Дели — 110018
Звоните +91 -8045907018
₹ 140/шт. 400067, р-н. Мумбаи, Махараштра
Звоните +91-7942835599
Запросить цену
Свяжитесь с поставщиком
Planetron Electronics Private Limited
Grant Road East, Mumbai, Maharashtra B10, 2nd Floor, Janardhan Building Proctor Road, Grant Road East, Mumbai — 400007, Dis т. Мумбаи, Махараштра
Звоните по телефону +91-7942545646
85 ₹/шт. 1-й этаж, Рани Баг, Чандни Чоук, Дели — 110034
Звоните по телефону +91-8047531570
160 ₹ за пару
Свяжитесь с поставщиком
S S Impex
Lamington Road, Mumbai, Maharashtra 1st Floor 9, Alankar Building , улица Баларам, Бадар Бауг, Ламингтон-роуд, Мумбаи — 400004, Расст. Мумбаи, Махараштра
Звоните по телефону +91-7942563357
₹ 13/шт.
Связаться с поставщиком
Подробная информация о продукте
Номер детали | ТПК8117(ТЭ12Л,К), ТПКК8103(ТЭ12Л,К) |
Максимальное сопротивление источника стока | 4 мОм, 25 мОм |
Максимальная рабочая температура | +150°С |
Торговая марка | Тошиба |
Тип канала | Канал P |
Максимальное напряжение источника затвора | 20 В |
Максимальный непрерывный ток стока | 18 А |
Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
Дополнительные сведения
Количество контактов | 8 |
Конфигурация транзистора | Одноместный |
Категория | Мощный МОП-транзистор |
Режим канала | Улучшение |
Размеры | 3,1 х 3,1 х 0,85 мм |
Максимальное напряжение источника стока | 30 В |
Максимальное пороговое напряжение затвора | 2 В |
Максимальная рассеиваемая мощность | 1,9 Вт, 27 Вт |
Минимальная рабочая температура | -55°С |
Тип упаковки | ЦОН |
Количество элементов на чип | 1 |
Материал транзистора | Си |
Типичная плата затвора при Vgs | 130 нКл при 10 В, 38 нКл при 10 В |
Типовая входная емкость Вдс | 4600 пФ при 10 В, 1600 пФ при -10 В |
Типичное время задержки выключения | 175 нс |
Типичное время задержки включения | 16 нс |
Фото продукта
Вас также может заинтересовать
Модуль питания MOSFET
Транзистор MOSFET
Расскажите нам, что вы 9 0455 нужно
Получить продавцу
реквизиты
Заключить сделку
Оплатить IndiaMART
Сообщите нам, что вам нужно, и мы поможем вам рассчитать стоимость
Я согласен с условиями и политикой конфиденциальности
В вашем браузере отключен JavaScript.